МИКИШКА ЙОСЕФ

  Изобретение относится к электронной технике, в частности к установкам эпитаксиального наращивания монокристаллических слоев полупроводниковых материалов на монокристаллические подложки методом газофазного осаждения. Цель изобретения - упрощение конструкции, удешевление ее изготовления, а также повышение однородности параметров эпитаксиальных пленок путем управления распределением...