Мкртчан М.Л.

 Изобретение относится к полупроводниковой технике, и может быть использовано в технологии получения полупроводниковых структур на основе арсенида галлия. Цель изобретения - улучшение качества полупроводниковых структур арсенида галлия за счет снижения уровня загрязнения поверхности углеродом и сохранения геометрических размеров структур. В данном способе пластины арсенида галлия обрабатыв...