ЛАТЫШЕВ А.В.

  СОЮЗ СОВЕТСНИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ РЕСПУБЛИН „„БУ„„ДЩЯОВ (51) 5 Н 01 Ь 21/263 ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИЯМ ПРИ ГКНТ СССР ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН И АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (46)* 23.05.93. Бюл. . (21) 4367394/25 .(22) 21.01.88 (7l) Научно-исследовательский инсти" тут прикладных физических проблем им. А.Н.Севченко (72) Н.Ф.Голубев, З.И.Гутько, А.В..Латышев:, В...

  Изобретение относится к микроэлектронике и может быть.использовано при изготовлении аналоговых интегральных схем с повышенной радиационной стойкостью к стационарному ионизирующему излучению. Цель изобретекия - уменьшение деградации электрических параметров анап гормх ИС при воздействии непрерывного ионизирующего излучения путем последовательного облучения радиационно-чувгтпнтельн...