Тимир-Булатов О.А.

 Изобретение относится к полупроводниковой технике, в частности к процессам контроля при производстве многослойных гетероструктур. Целью изобретения является повышение точности определения толщин в слоях GaAs и GaxAl1-xAs, где x 0,1. В данном способе обработку слоя GaAs проводят в травителе при следующем количественном содержании ингредиентов, об.ч.: аммиак водный 1; перекись водорода 350...