ИЛЬИНСКИЙ А.Н.

  Изобретение относится к полупроводниковой электронике, в частности к производству СВЧ арсенидгаллиевых и кремниевых транзисторов, и может быть использовано в производстве ГИС, МИС и изделий оптоэлектроники. Цель изобретения -увеличение производительности сборки. Перед захватом производится распределение кристаллов по схеме вне подложки. Переносятся одновременно все кристаллы схем...