НОВИКОВ ДМИТРИЙ ВЛАДИМИРОВИЧ
Изобретатель НОВИКОВ ДМИТРИЙ ВЛАДИМИРОВИЧ является автором следующих патентов:
![Способ коллимации и монохроматизации рентгеновского излучения Способ коллимации и монохроматизации рентгеновского излучения](https://img.patentdb.ru/i/200x200/9868c92b79d125362c2aadb4499ff0b3.jpg)
Способ коллимации и монохроматизации рентгеновского излучения
Изобретение относится к области рентгеновской оптики и позволяет получить монохроматический пучок рентгеновских лучей, коллимированный в двух взаимно перпендикулярных плоскостях с расходимостью порядка угловой секунды. Целью изобретения является обеспечение дополнительной коллимации в плоскости, перпендикулярной плоскости дифракций. Используют монокристалл, установленный в положен...
1547036![Способ определения структурных искажений приповерхностных слоев монокристаллов Способ определения структурных искажений приповерхностных слоев монокристаллов](https://img.patentdb.ru/i/200x200/91cfa4d5c9f4c92fe36cb0bcb183f5a4.jpg)
Способ определения структурных искажений приповерхностных слоев монокристаллов
Изобретение относится к рентгенодифракционному анализу приповерхностных слоев монокристаллов и может быть использовано для анализа воздействий на образец различных технологических процессов. Цель изобретения - повышение чувствительности к тонким приповерхностным слоям, расширение возможных ориентаций кристаллов и получение дополнительной информации о нарушенных слоях. По предлагае...
1583809![Способ определения структурных искажений приповерхностных слоев совершенного монокристалла Способ определения структурных искажений приповерхностных слоев совершенного монокристалла](https://img.patentdb.ru/i/200x200/765b16f6395fc495822e36feff33c27e.jpg)
Способ определения структурных искажений приповерхностных слоев совершенного монокристалла
Изобретение относится к рентгенодифракционному анализу приповерхностных слоев совершенных кристаллов и может быть использовано для отработки технологии создания изделий микроэлектроники. Цель изобретения - повышение локальности измерений и расширение класса исследуемых кристаллов. Способ включает в себя облучение образца коллимированным в плоскости падения пучком рентгеновского из...
1599732