Кастрюлев А.Н.

 Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в технологии изготовления больших интегральных схем. Цель изобретения - повышение качества и надежности многоуровневых межсоединений. После формирования омических и выпрямляющих контактов к активным областям на основе силицила платины наносят слой титана-вольфрама толщиной 0,2 мкм и алюминия, легированного кремнием, толщин...

 Изобретение относится к микроэлектронике и предназначено для изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем. Цель изобретения повышение надежности межуровневой изоляции межсоединений. Способ включает следующие операции. На полупроводниковой подложке формируют первый уровень разводки. На подложку наносят полиимидную пленку. Перед нанесением пленки полиимида в него вводят бензи...

 Изобретение относится к микроэлектронике, в частности к технологии изготовления интегральных биполярных схем с диодами Шоттки. Цель - повышение надежности интегральных схем и улучшение воспроизводимости параметров диодов Шоттки. Для этого после создания в подложке активных и пассивных элементов ИС, маскированных диэлектрической пленкой, в ней вскрывают окна к невыпрямляющим контактам и вы...

 Изобретение относится к полупроводниковому производству. Цель изобретения повышение качества и выхода годных структур за счет повышения воспроизводимости параметров диодов Шоттки. Способ создания интегральных микросхем с разнопороговыми диодами Шоттки включает формирование пассивных элементов и активных структур в монокремниевой подложке n типа, поочередное вскрытие контактных окон в диэл...

 Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к технологии изготовления полупроводниковых приборов. Целью изобретения является повышение надежности полупроводниковых приборов. После удаления фоторезиста осуществляют неполное плазменное травление пленки Tiw на 2/3 толщины слоя. Затем слой дотравливают в растворе перекиси водорода и уксусной кислоты при соотношении 1 1 и температуре 40...

 Использование: изобретение относится к производству полупроводников. Сущность: способ включает формирование пассивных и активных элементов в монокремниевой подложке n-типа, вскрытие в диэлектрическом покрытии контактных окон, нанесение слоя силицидообразующего металла и формирование силицида в контактных окнах, нанесение барьерного и токопроводящего слоев с последующим формированием конта...