ВАСИЛИНА БОГДАН СИЛЬВЕСТРОВИЧ

  Изобретение относится к области металлургии полупроводников и может быть использовано для выращивания монокристаллов твердого раствора германий-кремний из газовой фазы. Цель изобретения - получение монокристаллов с повышенной однородностью состава. Способ включает перенос в закрытой системе бромидов германия и кремния из горячей зоны, нагретой до 1050 - 1350°С, в холодную, наг...