Сопов О.В.

  Изобретение относится к электронной полупроводниковой технике, а именно к технологии изготовления высоковольтных кремниевых приборов и способам защиты p-n-переходов от влияния внешних зарядов. Цель изобретения - улучшение электрических характеристик приборов и повышение выхода годных за счет исключения взаимодействия электродов с пассивирующей пленкой поликремния, увеличения прочности со...

 Использование: микроэлектроника, технология изготовления полупроводниковых структур для снижения механических напряжений в структурах. Сущность изобретения: способ изготовления кремниевых полупроводниковых структур включает формирование на поверхности по крайней мере одной из двух кремниевых пластин слоя тугоплавкого металла, а на поверхности другой пластины слоя полупроводникового матери...