Голант Е.И.

  Изобретение относится к электронной технике, полупроводниковой электронике, СВЧ-полупроводниковым диодам с динамическим отрицательным сопротивлением. Целью изобретения является увеличение КПД и максимальной рабочей частоты резонансно-туннельного пролетного диода путем сокращения фазовой длины пакетов носителей заряда, инжектируемых в пролетный участок, что достигается тем, что по крайней...

  Изобретение относится к электронной технике, а именно к полупроводниковым диодам с динамическим отрицательным сопротивлением. Целью изобретения является увеличение отрицательного динамического сопротивления, КПД, полезной мощности и максимальной рабочей частоты туннельно-пролетного диода с резонансно - туннельной инжекцией носителей заряда, это достигается тем, что полупроводниковые слои...