Долганов А.В.

 Изобретение относится к технологии полупроводниковых материалов и может быть использовано при получении приборных структур для микро- и оптоэлектроники с применением жидкостной эпитаксии. Целью изобретения является получение непрерывного ряда твердых растворов (Si2)xGaAs1-x на кремниевой подложке. Приготовляют насыщенный раствор - расплав мышьяка в олове и наносят его тонким слоем на пове...

 Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано при получении приборных структур для микро- и оптоэлектроники методом жидкостной эпитаксии. Целью изобретения является получение слоев арсенида галлия на подложках кремния и повышение их качества за счет улучшения планарности. Эпитаксиальное наращивание ведут из сильно пересыщенного раствора-расплава, что дости...

 Изобретение относится к физико-химическому анализу, а именно к способам определения температуры и момента начала кристаллизации раствора-расплава. Целью изобретения является повышение точности определения момента начала кристаллизации раствора-расплава. Расплав элемента III группы охлаждают и одновременно перемещают по поверхности кристалла AIIIBV c постоянной скоростью Vx. Фиксируют расс...

 Изобретение может быть использовано при получении приборных гетероструктур для микро- и оптоэлектроники. Сущность: для проведения эпитаксиального наращивания слоев арсенида галлия на кремниевых подножках приготовляют ненасыщенный раствор-расплав арсенида галлия в олове. Полученный раствор-расплав приводят в контакт с подложкой, исходная температура которой по крайней мере не ниже температ...