Сарнацкий Д.П.

 Изобретение относится к полупроводниковой технике, а именно к получению поверхностей арсенида галлия без углеродсодержащих загрязнений. Цель изобретения - улучшение качества поверхности арсенида галлия за счет снижения уровня углеродных загрязнений. В способе после химико-механической полировки в течение времени не более 10 мин проводят химическую обработку в растворе перекиси водорода. П...

 Изобретение относится к оборудованию для нанесения покрытий, в частности к устройствам для осаждения полупроводниковых и диэлектрических слоев из газовой фазы. Целью изобретения является повышение качества осаждаемых слоев за счет равномерности распределения газового потока. Устройство может быть использовано при выращивании эпитаксиальных слоев типа A3B5 , в частности арсенида галлия. Сл...