Донцова В.В.

 Изобретение относится к устройствам, используемым в электронной технике в качестве запоминающих устройств. Элемент оптической памяти содержит гетероструктуру n-InSb-SiO2-P-Si, полученную путем напыления поликристаллической пленки n-InSb на подложку из окисленного кремния при 300oС с последующей термической перекристаллизацией. Эффект оптической памяти составляет в нем ~ 40-50% при темпера...