Сычевский В.А.
Изобретатель Сычевский В.А. является автором следующих патентов:
Способ струговой выемки полезного ископаемого и устройство для его осуществления
1. Способ струговой выемки полезного ископаемого, включающий разрушение полезного ископаемого по всей мощности пласта перемещением исполнительного органа по всей длине очистного забоя и транспортировку разрушенного полезного ископаемого в прилегающие выработки, отличающийся тем, что, с целью снижения разубоживания полезного ископаемого при одновременном повышении его производительности пр...
1702732Интегральная транзисторная mos структура
Использование: микроэлектроника. Сущность изобретения: интегральная транзисторная MOS структура содержит на полупроводниковой подложке первого типа проводимости диэлектрический слой, на котором расположены истоковые и стоковые области первого типа проводимости, разделенные подзатворной областью второго типа проводимости, перекрытой областью подзатворного диэлектрика с расположенным на нем...
2207662