PatentDB.ru — поиск по патентным документам

Сычевский В.А.

Изобретатель Сычевский В.А. является автором следующих патентов:

Способ струговой выемки полезного ископаемого и устройство для его осуществления

Способ струговой выемки полезного ископаемого и устройство для его осуществления

 1. Способ струговой выемки полезного ископаемого, включающий разрушение полезного ископаемого по всей мощности пласта перемещением исполнительного органа по всей длине очистного забоя и транспортировку разрушенного полезного ископаемого в прилегающие выработки, отличающийся тем, что, с целью снижения разубоживания полезного ископаемого при одновременном повышении его производительности пр...

1702732

Интегральная транзисторная mos структура

Интегральная транзисторная mos структура

 Использование: микроэлектроника. Сущность изобретения: интегральная транзисторная MOS структура содержит на полупроводниковой подложке первого типа проводимости диэлектрический слой, на котором расположены истоковые и стоковые области первого типа проводимости, разделенные подзатворной областью второго типа проводимости, перекрытой областью подзатворного диэлектрика с расположенным на нем...

2207662