Гук Е.Н.

 Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов и может быть использовано для изготовления кремниевых p - n-переходов, работающих в области лавинного пробоя. Цель изобретения - повышение быстродействия включения p - n-перехода за счет уменьшения времени задержки лавинного пробоя и повышения величины допустимой энергии в единичном импульсе обратного тока. Шлифованную поверхно...