Ивахненко С.А.

  Изобретение относится к получению монокристаллов алмаза на затравке и может быть использовано для выращивания алмазов ювелирного качества. Цель уменьшение количества макропримесей на границе кристаллов алмаза затравок и выращиваемого алмаза. Изобретение представляет собой способ получения монокристаллов алмаза на затравке, включающий послойное размещение источника углерода, металла - кат...

  Изобретение относится к области устройств высокого давления и температуры, в частности к материалам для изготовления тепло- и электроизоляционных деталей устройств высокого давления и температуры, используемых при синтезесверх твердых материалов. С целью повышения стабильности давления в реакционной ячейке контейнера и снижения потребляемой мощности нагрева для изготовления деталей конте...

 Изобретение относится к технологии получения крупных монокристаллов алмаза, а именно к способу синтеза монокристаллов алмаза на затравках для целей электронной промышленности. Цель изобретения повышение теплопроводности и термостойкости монокристаллов алмаза. Собирают ростовую ячейку, в качестве основных компонентов которой берут растворитель углерода (сплав Fe46Ni42C12) источник углерода...

 Использование: для выращивания крупных кристаллов алмаза ювелирного качества. Сущность изобретения: синтез монокрисаллов алмаза на затравке осуществляют путем создания заданного перепада температуры между алмазной затравкой и источником углерода, разделенных массой металлического катализатора-растворителя, заключающегося в приложении высокого давления и температуры к размещенным послойно...