ГОВОРУХИН ВАСИЛИЙ НИКИТОВИЧ

  Изобретение относится к вычислительной технике, а точнее к полупроводниковым запоминающим устройствам, и может быть использовано при разработке элементов и блоков памяти ЭВМ. Цель изобретения - повышение надежности элемента памяти. Поставленная цель достигается тем, что второй диэлектрический слой выполнен толщиной 0,08 - 0,12 мкм и содержит 20 - 40% оксида редкоземельного металла...