ДАНИЛЬЦЕВ ВЯЧЕСЛАВ МИХАЙЛОВИЧ

  Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано при получении эпитаксиальных структур GAAS путем осаждения из газовой фазы. Цель изобретения - получение более резких P-N-переходов и повышение выхода структур. Способ включает продувку реактора водородом и арсином в течение 3 - 4 мин, дальнейшее введение в реактор GA(CH<SB POS="POST">3</SB>...