Гузаева Т.Н.

 Изобретение относится к электронной технике, в частности к технологии создания полевых транзисторов с барьером Шоттки с применением ионной имплантации. Цель изобретения - повышение выхода годных транзисторов, создание резкого градиента на границе раздела n-слой - подложка и уменьшение влияния перераспределения примесных атомов из подложки в n-слой. Цель достигается путем проведения перед...