ШАРИПОВ А.Г.

  Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых гетероструктур и может использоваться при изготовлении сверхчистых снальных слоев для полупроводниковых приборов широкого применения, в частности , для приборов интегральной оптоэлектроники и микроэлектроники. Целью изобретения является очистка многокомпонентного полупроводникового слоя. Цель достигается тем, чтб н...