БЕЛОУСОВ ПЕТР СЕРГЕЕВИЧ

  Изобретение относится к технике нанесения эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений и обеспечивает повышение производительности и качества выращиваемых структур. Устройство содержит камеру роста, внутри которой коаксиально ее стенкам размещены криопанели. Между криопанелями установлены средства ионно-сорбционной откачки, снабженные приводом вращения и возвратно-поступатель...