Домород А.А.

 Способ изготовления МОП-структур, включающий формирование на кремниевой подложке подзатворного диэлектрика с толщиной 8-40 нм, нанесенного полевого электрода путем осаждения из смеси моносилан-аргон подслоя аморфного кремния при температуре из диапазона 823-853 K и слоя поликристаллического кремния до получения заданной толщины электрода при соотношении толщины подслоя и слоя 0,1-0,4, диф...