Теремецкая И.Г.

  Изобретение относится к кристаллизации алмаза из газовой фазы, и может быть использовано в электронике, приборостроении, лазерной и рентгеновской технике и обеспечивает повышение скорости роста слоев. Способ включает выращивание слоев из газовой фазы, содержащей углеводороды и водород при общем давлении 0,01 - 1 зтм Рост ведут на подложке, расположенной на подложкодержатепе , наг...