Розес И.М.

 Изобретение относится к микроэлектронике и предназначено для изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем. Цель изобретения повышение надежности межуровневой изоляции межсоединений. Способ включает следующие операции. На полупроводниковой подложке формируют первый уровень разводки. На подложку наносят полиимидную пленку. Перед нанесением пленки полиимида в него вводят бензи...

 Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к технологии изготовления полупроводниковых приборов. Целью изобретения является повышение надежности полупроводниковых приборов. После удаления фоторезиста осуществляют неполное плазменное травление пленки Tiw на 2/3 толщины слоя. Затем слой дотравливают в растворе перекиси водорода и уксусной кислоты при соотношении 1 1 и температуре 40...