СЕРЕДИН БОРИС МИХАЙЛОВИЧ

  Изобретение относится к технологии полупроводниковых материалов и может быть использовано для получения кремниевых структур, применяемых для изготовления дискретных приборов и интегральных схем. Цель изобретения - повышение кристаллического совершенства перекристаллизованных областей. Способ включает нанесение пленки молибдена или вольфрама на одну из поверхностей кремниевой пласт...

  СОЮЗ СОВЕ 1СКИХ СОЦИАЛИСТИЯЕСКИХ РЕСПУБЛИК (я)5 С 30 В 19/02, 29/06 ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ ПРИ ГКНТ СССР ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4717490/26 (22) 11.07.89 (46) 23,10.91. Бюл. ¹ 39 (71) Новочеркасский политехнический институт им.Серго Орджоникидзе (72) В.П.Крыжановский, А,В.Балюк, Б,M.Середин, Л.С.Габова и Г.Т.Вахер (...