ХМЕЛЕВСКИЙ МИХАИЛ ИОСИФОВИЧ
Изобретатель ХМЕЛЕВСКИЙ МИХАИЛ ИОСИФОВИЧ является автором следующих патентов:

Устройство для измерения комплексных параметров двухполюсников
Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано при измерениях комплексных сопротивлений двухполюсников в диапазоне высоких частот. Устройство содержит источник 1 синусоидального напряжения, первый резистор 2, второй (образцовый) резистор 3, первый ключ 4, первый конденсатор 5, второй ключ 6, векторный вольтметр 7, коммутатор 12, зажимы 13,14, 15, калиброво...
1580282
Устройство для измерения динамических параметров четырехполюсных микросхем
Изобретение относится к технике радиоизмерений и может быть использовано в автоматизированных информационно-измерительных системах измерения и диагностики качества микросхем на высоких частотах. Цепью изобретения L 2 является повышение точности измерения четырехполюсник микросхем на высоких частотах за счет устранения влияния паразитных элементов. Устройство содержит источник 1 Э...
1619209