PatentDB.ru — поиск по патентным документам

Молотков А.И.

Изобретатель Молотков А.И. является автором следующих патентов:

Линия задержки на поверхностных акустических волнах

Линия задержки на поверхностных акустических волнах

 Линия задержки на поверхностных акустических волнах (ПАВ), содержащая пьезоэлектрический звукопровод, на рабочей поверхности которого в общем акустическом канале размещены входной и выходной веерные встречно-штыревые преобразователи (ВШП) с переменными вдоль апертуры каждого преобразователя шириной каждого штыря и величиной зазора между соседними штырями, отличающаяся тем, что, с целью ум...

1598818

Дисперсионная линия задержки на поверхностных акустических волнах

Дисперсионная линия задержки на поверхностных акустических волнах

  Изобретение относится к области радиоэлектроники. Целью изобретения является увеличение полосы пропускания дисперсионной линии задержки на поверхностных акустических волнах (ПАВ) без увеличения вносимого затухания. Первый встречно-штыревой преобразователь 2 в линии задержки выполнен неэквидистантным и наклонным. Второй ВШП 3 выполнен веерным. Координаты осей симметрии его электродов и ши...

1627052

Линия задержки на поверхностных акустических волнах

Линия задержки на поверхностных акустических волнах

 Линия задержки на поверхностных акустических волнах (ПАВ), содержащая пьезоэлектрический звукопровод, на рабочей грани которого в общем акустическом канале размещены входной и выходной встречно-штыревые преобразователи (ВШП) с переменными вдоль апертуры каждого ВШП шириной каждого электрода и величиной зазора между соседними электродами, отличающаяся тем, что, с целью повышения технологич...

1683478

Дисперсионная линия задержки на поверхностных акустических волнах

Дисперсионная линия задержки на поверхностных акустических волнах

  Изобретение относится к акустоэлектронике. Цель изобретения - уменьшение вносимого затухания. Поставленная цель достигается путем смещения второго преобразователя на расстояние относительно первого вдоль своей оси симметрии в сторону того края апертуры, где расположены электроды первого преобразователя, наиболее удаленные от второго преобразователя. 1 ил. Изобретение относится к акустоэл...

1713405

Устройство на поверхностных акустических волнах

Устройство на поверхностных акустических волнах

 Устройство на поверхностных акустических волнах (ПАВ), содержащее пъезоэлектрический звукопровод, на рабочей поверхности которого в одном акустическом канале расположены два встречно-штыревых преобразователя (ВШП), первый из которых выполнен веерным, при этом средние линии его электродов является ломаными линиями, вершины которых лежат на отрезках гипербол, отличающееся тем, что, с целью...

1753918


Дисперсионная линия задержки на поверхностных акустических волнах

Дисперсионная линия задержки на поверхностных акустических волнах

 Дисперсионная линия задержки на поверхностных акустических волнах, содержащая пьезоэлектрический звукопровод и расположенные на его рабочей поверхности в одном акустическом канале два наклонных неэквидистантных встречно-штыревых преобразователя (ВШП), отличающаяся тем, что, с целью уменьшения неравномерности амплитудно-частотной характеристики, в нее введены две неэквидистантные отражател...

1793821