Айтхожин С.А.
Изобретатель Айтхожин С.А. является автором следующих патентов:
Подложка для выращивания эпитаксиальных слоев арсенида галлия
Изобретение относится к электронной технике, конкретно к технологии материалов, предназначенных для создании приборов и устройств обработки и передачи информации. Сущность изобретения: в качестве материала подложек для выращивания эпитаксиальных слоев арсенида галлия предложено использовать антимониды металлов четвертого периода периодической системы элементов, что существенно упрощает те...
2209260Подложка для выращивания эпитаксиальных пленок и слоев нитрида галлия
Изобретение относится к электронной технике, конкретно к технологии материалов для создания устройств отображения и обработки информации. Сущность изобретения: предложен класс материалов - моносилициды переходных металлов IV-периода и твердые растворы на их основе - в качестве материала подложек для роста эпитаксиальных слоев нитридов галлия. Преимущества этого класса соединения заключают...
2209861