ЖЕГАЛИН ВАЛЕРИЙ АНАТОЛЬЕВИЧ

  Изобретение относится к технологии полупроводниковых материалов и может быть использовано для выращивания эпитаксиальных слоев методом жидкофазной эпитаксии. Цель изобретения - сокращение времени выращивания и повышение эффективности осаждения. Способ включает приготовление насыщенного раствора-расплава, разделение его на порции, переохлаждение раствора-расплава на 1-15°С и по...