ИМАМОВ РАФИК МАМЕДОВИЧ

  Изобретение относится к рентгенодифракционному анализу приповерхностных слоев совершенных кристаллов и может быть использовано для отработки технологии создания изделий микроэлектроники. Цель изобретения - повышение локальности измерений и расширение класса исследуемых кристаллов. Способ включает в себя облучение образца коллимированным в плоскости падения пучком рентгеновского из...