Остроухов С.С.

 Изобретение относится к микроэлектронике. Цель повышение выхода годных, а также надежности и стабильности характеристик МДП БИС. В процессе изготовления БИС осуществляют подгонку порогового напряжения МДП-транзисторов облучением рентгеновским излучением с энергией квантов 100 кэВ дозой, определяемой по формуле D = Un/d2, где = 610-6Pсм2/В, Un величина подгонки порогового напряжения; B, d...

 Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано для получения диэлектрических покрытий на монолитных интегральных схемах с алюминиевой металлизацией. Цель изобретения увеличение выхода годных полупроводниковых приборов путем улучшения качества диэлектрического покрытия и повышения надежности приборов в работе. Способ включает формирование на поверхности структуры полупр...

  Изобретение относится к микроэлектронике. Способ включает формирование на кремниевой подложке областей истока, стока и подзатворного диэлектрика, формирование металлической разводки, подгонку порогового напряжения Uп путем облучения дозой рентгеновского излучения, пропорциональной величине Uп . Для повышения производительности способа путем сокращения времени на выполнение операции подго...

  Изобретение относится к мифоэлектронике и может быть использовано при изготовлении КМОП больших интегральных схем. Цель - упрощение способа изготовления интегральных схем за счет исключения длительных выскотемпературных операций для формирования областей изоляции, улучшения-электрических параметров и надежности интегральных схем за счет исключения утечек тока по поверхности подло...

  Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано для изготовления ИС на МДП-транзисторах. Целью изобретения является уменьшение разброса параметров МДП - БИС и увеличение процента выхода годных. Способ включает формирование МДП - структуры БИС и радиационную подгонку их пороговых напряжений. Последняя операция осуществляется путем облучения пластины со струк...

 Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано для изготовления МДП БИС. Цель - увеличение процента выхода годных транзисторов путем локации обработки рентгеновским излучением. Способ включает операции формирования на кремниевой пластине областей истока, стока и слоя подзатворного диэлектрика, нанесение металлической разводки и подгонку порогового напряжени...

 Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано для изготовления интегральных микросхем. Цель изобретения повышение производительности способа, а также улучшение точности подгонки порогового напряжения и увеличение процента выхода годных изделий. Подгонка порогового напряжения Uo в способе осуществляется в два этапа, первый из которых осуществляют путем облу...

 Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано для изготовления МДП- транзисторов интегральных микросхем. Цель изобретения заключается в повышении точности подгонки пороговых напряжений и увеличении выхода годных МДП-транзисторов. Для этого после изготовления полевого окисла проводят ионное легирование подзатворной области для предварительного сдвига средне...

 Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, а более конкретно к изготовлению МДП БИС. Цель изобретения улучшение эксплуатационных характеристик МДП БИС, стабилизация ее параметров и повышение процентов выхода годных МДП БИС. На кремниевых подложках формируют полевой окисел толщиной 1,0 мкм. Формируют области истока и стока, слой подзатворного диэлектрика то...

  Применение: полупроводниковая технология, более конкретно изготовление МДП-микросхем. Сущность: на полупроводниковой подложке формируют МДП-структуры. Затем проводят подложку порогового напряжения структур путем их облучения рентгеновским излучением с последующим высокотемпературным отжигом. Цикл облучения отжиг повторяют не менее двух раз. Это позволяет примерно в три раза расширить диа...

 Применение: полупроводниковая технология, изготовление ИС, в частности КМОП ИС. Сущность: МДП БИС, изготовление по обычной технологии, облучают рентгеновским ультрафиолетовым излучением для подгонки порогового напряжения. Разные группы МДП-структур (например, n- и p-канальные транзисторы в КМОПИС, требуют в общем случае равной величины подгонки V и V2. Используется то обстоятельство, что...

 Использование: технология изготовления многопороговых БИС на МДП-транзисторах. Сущность изобретения: способ изготовления МДП БИС включает в себя операции формирования на кремниевой подложке активных и полевых областей, ионное легирование подзатворной области, формирование поликремниевой разводки, нанесение межслойной изоляции, формирование металлизированной разводки и облучение сформирова...

 Изобретение относится к пищевой промышленности и может быть использовано для приготовления начинки для производства мучных кондитерских изделий с начинкой. Способ производства начинки для мучных кондитерских изделий предусматривает приготовление начинки путем смешивания термоактивных, сахаристых, а также содержащие редуцирующие сахара компонентов и вкусовых добавок. Способ включает предва...