КРЫЖАНОВСКИЙ ВИКТОР ПАВЛОВИЧ

  Изобретение относится к технологии полупроводниковых материалов и может быть использовано для получения эпитаксиальных слоев кремния зонной перекристаллизацией в поле температурного градиента. Цель изобретения - повышение структурного совершенства слоев. Способ включает формирование композиции из кремниевых пластин источника и подложки, нагрев композиции, введение в зазор между пл...

  СОЮЗ СОВЕ 1СКИХ СОЦИАЛИСТИЯЕСКИХ РЕСПУБЛИК (я)5 С 30 В 19/02, 29/06 ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ ПРИ ГКНТ СССР ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4717490/26 (22) 11.07.89 (46) 23,10.91. Бюл. ¹ 39 (71) Новочеркасский политехнический институт им.Серго Орджоникидзе (72) В.П.Крыжановский, А,В.Балюк, Б,M.Середин, Л.С.Габова и Г.Т.Вахер (...