КОВАЛЕВ НИКОЛАЙ МИФОДИЕВИЧ

  Изобретение относится к технологии полупроводниковых материалов и может быть использовано для получения эпитаксиальных слоев кремния зонной перекристаллизацией в поле температурного градиента. Цель изобретения - повышение структурного совершенства слоев. Способ включает формирование композиции из кремниевых пластин источника и подложки, нагрев композиции, введение в зазор между пл...