PatentDB.ru — поиск по патентным документам

Мосиевский В.А.

Изобретатель Мосиевский В.А. является автором следующих патентов:

Способ выращивания монокристаллов йодата лития гексагональной модификации

Способ выращивания монокристаллов йодата лития гексагональной модификации

 Изобретение относится к способу выращивания монокристаллов йодата лития гексагональной модификации и позволяет повысить однородность оптических элементов, изготовляемых из монокристаллов. Кристаллизацию ведут из одного раствора йода лития на прямоугольную затравку, ограненную по периметру гранями и с соотношением сторон не менее по соответствующим плоскостям. Причем размер грани выбир...

1605584