Мосиевский В.А.
Изобретатель Мосиевский В.А. является автором следующих патентов:
Способ выращивания монокристаллов йодата лития гексагональной модификации
Изобретение относится к способу выращивания монокристаллов йодата лития гексагональной модификации и позволяет повысить однородность оптических элементов, изготовляемых из монокристаллов. Кристаллизацию ведут из одного раствора йода лития на прямоугольную затравку, ограненную по периметру гранями и с соотношением сторон не менее по соответствующим плоскостям. Причем размер грани выбир...
1605584