ЛИСЕЦКАЯ Е.К.

  Изобретение относится к лазерной технике и может быть использовано в химической промышленности. Цель изобретения - улучшение оптических характеристик за счет снижения примесей металлов и угле рода в кристалле. Способ включает направленную кристаллизацию расплава исходного материала с добавкой мел одис персного угля, предварительно обрабо анного КИСЛОТОЙ, в кол..местве 0.3-0 5 мае...

  Изобретение относится к области получения полупроводниковых материалов, используемых в электронном, ядерном приборостроении, лазерной силовой оптике , в детекторах ионизирующих излучений. Обеспечивает увеличение прозрачности элементов. Обработку ведут при 1000- 1080°С в среде порошкообразного селенида цинка в протоке водорода в течение 3-10 ч для элементов с исходным коэф...