ЛУЗАН ВИКТОР МИХАЙЛОВИЧ

  Изобретение относится к полупроводниковой технике, к устройству для определения параметров глубоких центров в полупроводниковых структурах. Цель изобретения - повышение точности измерений путем повышения чувствительности следящей системы. Устройство содержит криостат с размещенной в нем полупроводниковой структурой, блок измерения и регулирования температуры, источник импульсного...