Илькин В.П.

 Изобретение относится к получению кристаллов и позволяет ускорить процесс. Выращивание ведут вертикальной направленной кристаллизацией путем пропускания цилиндрической ампулы с расплавом через охлаждаемую диафрагму со скоростью V. Сначала расплав перегревают на t1= 30-50C выше t плавления и в течение времени t1=(hk + hx)/V выращивают конусную часть кристалла, затем со скоростью U1= 0,3(t2...