Иванова Л.Д.

 (19)SU(11)1140492(13)A1(51)  МПК 5    C30B15/00, C30B29/46(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 10.01.2013 - прекратил действиеПошлина: (54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО МАТЕРИАЛА Изобретение относится к технологии получения монокристаллов полупроводниковых материалов и может быть использовано для получения термоэлек...

 Использование: для выращивания полупроводниковых материалов методом Чохральского. Сущность изобретения: монокристалл выращивают на затравку конической формы с диаметром основания, равным диаметру монокристалла. Перед выращиванием затравку опускают в расплав температурой 600oС и выдерживают 20 - 30 мин при наличии радиального градиента температуры 5 - 6oС/мм. Вытягивание ведут со скоростью...

 Изобретения относятся к области получения защитных покрытий на изделиях, предназначенных для работы в жестких коррозионных условиях. Композиция для получения фосфатных и хромовых покрытий содержит следующие ингредиенты, мас.%: жидкие масляные отходы со стадии ректификации кумола производства фенола и ацетона кумольным методом - фенольная смола - 0,05-0,50; дубильные растительные экстракты...