САСАКИ Такамото (JP)

 Изобретение может быть использовано для получения кристаллов CsLiB5O10 GdxY1-x Ca4O(BO3)3 (0<x<1), LiNbO3, LiTaO3, NaxCO2O4. В способе выращивания монокристалла при помощи приведения затравочного кристалла (4) в контакт с расплавом (2) сырьевых материалов, расплавленных при нагревании в тигле (1), где в расплаве (2) сырьевых материалов, находящемся в тигле (1), расположен элемент (5...