СОЧИНСКИЙ НИКОЛАЙ ВЛАДИМИРОВИЧ

  Изобретение относится к технологии полупроводников и может быть использовано в полупроводниковой фотоэлектронике. Цель изобретения - улучшение структурного совершенства и повышение однородности состава кристаллов. Перекристаллизацию поликристаллического слитка проводят через жидкую зону состава (HG<SB POS="POST">1-Z</SB>-MN<SB POS="POST">Z</SB>)<SB POS="...