ГАВАЛЕШКО НИКОЛАЙ ПЕТРОВИЧ

  Изобретение относится к технологии полупроводников и может быть использовано в полупроводниковой фотоэлектронике. Цель изобретения - улучшение структурного совершенства и повышение однородности состава кристаллов. Перекристаллизацию поликристаллического слитка проводят через жидкую зону состава (HG<SB POS="POST">1-Z</SB>-MN<SB POS="POST">Z</SB>)<SB POS="...

  Изо0рётение относится к конструкциям резистивных нагревателей. Нагреватель 3содержит два горизонтально установленных нагревательных элемента 4 и 5. Элемент 4 выполнен в виде набора стержней 2. Элемент 5 охватывает элемент 4 и выполнен конусообразным. Элемент 4 установлен со смещением оси по вертикали относительно оси элемента 5. Всё стержни 2 установлены неравномерно по периметрам...

  Использование: получение кристаллов для полупроводниковой техники. Сущность изобретения: исходный слиток германия-74 подвергают серии зонных проходов в средней части. Непроплавленный начальный участок отдел я ют и переставляют к конечному непроплавленному участку и повторяют серию проходов. Получают с лито к,очищенный до концентрации примесей 1015 . 1 табл., 3 ил. СОЮЗ СОВЕТС...