Бакин Н.Н.

 Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых эпитаксиальных структур фосфида индия со "стоп-слоями" осаждением из газовой фазы для изготовления диодов Ганна, полевых транзисторов, смесительных диодов. Способ позволяет упростить технологию выращивания структур со "стоп-слоями". Перед наращиванием рабочей структуры дополнительно вводят в парогазовую смесь поток треххлорист...

 Изобретение относится к источникам света и может использоваться в светосигнальном оборудовании, системах регулирования движения транспортных средств, в частности водного транспорта. Сущность изобретения состоит в том, что в устройстве, содержащем корпус, состоящий из двух частей, образующих параболический отражатель, стержень с контактной площадкой и светодиодные кристаллы, находящиеся в...

 Использование: в составе светосигнальной аппаратуры различного назначения. Сущность изобретения: источник света представляет собой гибридную монолитную интегральную схему, корпус которой состоит из типового лампового цоколя и оптически прозрачного световода. Кристаллы светодиодов закреплены на теплопроводящем кристаллодержателе, а диаграмма направленности излучения формируется встроенным...