ЛИПКЕС М.Я.

  Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых прноорэв н используется для ионной имплянтацни. Цель изобретения - расширение диапазона измерений в область малых доз н упрощение способа. Сущность предлагаемого изобретения заключается в том, что на полупроводниковую подложку наносят слой ионночув- .ствнтельного резиста с параметрами, соответствующими условию D«#i...