Рашкович Л.Н.
Изобретатель Рашкович Л.Н. является автором следующих патентов:
Способ выращивания монокристаллов типа кдр
Изобретение относится к выращиванию монокристаллов и может быть использовано для скоростного выращивания водно-растворимых кристаллов для нелинейной оптики. Целью изобретения является увеличение скорости роста кристаллов. Выращивание кристаллов ведут при постоянной скорости роста кристалла из точечной затравки Т-образной формы, жестко закрепленной в углублении платформы, путем увеличения...
1619750