PatentDB.ru — поиск по патентным документам

Рашкович Л.Н.

Изобретатель Рашкович Л.Н. является автором следующих патентов:

Способ выращивания монокристаллов типа кдр

Способ выращивания монокристаллов типа кдр

 Изобретение относится к выращиванию монокристаллов и может быть использовано для скоростного выращивания водно-растворимых кристаллов для нелинейной оптики. Целью изобретения является увеличение скорости роста кристаллов. Выращивание кристаллов ведут при постоянной скорости роста кристалла из точечной затравки Т-образной формы, жестко закрепленной в углублении платформы, путем увеличения...

1619750