PatentDB.ru — поиск по патентным документам

ФАЛИН АНАТОЛИЙ ИВАНОВИЧ

Изобретатель ФАЛИН АНАТОЛИЙ ИВАНОВИЧ является автором следующих патентов:

Мощный полупроводниковый модуль

Мощный полупроводниковый модуль

  Изобретение относится к полупроводниковой технике, к выпрямительным блокам , и может быть использовано в различных преобразовательных устройствах, рассчитанных на токи до 1000 А Целью изобретения является упрощение конструкции мощного полупроводникового модуля за счет того, что каждая полупроводниковая структура 1 и 2 дополнительно снабжена прижимной планкой 13, обеспечивающей пр...

1631627

Полупроводниковый модуль

Полупроводниковый модуль

  Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано в различных преобразователях электрической энергии и электроприводах. Цель изобретения состоит в упрощении конструкции полупроводникового модуля , за счет введения изолирующих втулок 2, которые фиксируют полупроводниковые элементы 3 на основании 1. При помощи плоской пружины 6, имеющий крестообразную форм...

1647703

Мощный полупроводниковый модуль

Мощный полупроводниковый модуль

  Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано в агрегатах бесперебойного питания, а также в ряде других преобразовательных устройств. Целью изобретения является повышение надежности модуля путем повышения эффективности токоотвода от эмиттерных и базовых областей транзисторных элементов и его технологичности. Это достигается введением вспомогательного...

1721668

Полупроводниковый модуль

Полупроводниковый модуль

  Использование: в качестве вторичного источника питания в схемах различных преобразователей электрического тока. Сущность изобретения: защитные диоды цепи эмиттер-коллектор размещены на эмиттерных шинах, которые расположены по обе стороны от транзисторных структур типа Дарлингтона. Эмиттерные и коллекторная шины расположены в одной плоскости, при этом эмиттерные шины закорочены ме...

1735941

Полупроводниковый светоуправляемый модуль

Полупроводниковый светоуправляемый модуль

  Использование: е полупроводниковых пр.еобразователях электрической энергии, станциях управления и электроприводах постоянного и переменного тока. Сущность изобретения: блок управления выполнен из изолирующего каркаса, в котором закреплены светоизлучающие диоды. Изолирующий каркас имеет один боковой паз под силовой вывод и центральное отверстие, в котором расположена линза со стор...

1746438


Полупроводниковый модуль

Полупроводниковый модуль

  Использование: в различных преобразователях энергии и электроприводах. Сущность изобретения: в модуле таблеточного типа, содержит корпус с крышкой, внутри которого расположены по вертикали два полупроводниковых элемента, каждый полупроводниковый элемент заключен между центральным выводом и крышкой. Центральный вывод представляет собой профилированный диск, по высоте имеющий неско...

1756978

Полупроводниковый модуль

Полупроводниковый модуль

  Использование в различных преобразователях электрической энергии и электроприводах .Сущность изобретения полупроводниковые элементы, имеющие попарно разные диаметры, расположены попарно-симметричноотносительно крепежного болта на взаимно перпендикулярных осях и прижачы к основанию при помощи крепежного болта с конической головкой и двух плоских пружин имеющих форму коромысла и об...

1760578

Мощный полупроводниковый модуль

Мощный полупроводниковый модуль

  Использование: в полупроводниковой технике в агрегатах бесперебойного питания , а также в ряде других преобразовательных устройств. Сущность изобретения: модуль снабжен матрицей, расположенной на основании корпуса. Матрица имеет проходные отверстия и пазы разной величины, в которых располагают элементы конструкции . Часть прижимных полусфер, используемых совместно с планками, бол...

1771008

Мощный полупроводниковый модуль

Мощный полупроводниковый модуль

  Область использования: в агрегатах бесперебойного питания, в так же в ряде других преобразовательных устройствах. Сущность изобретения: четыре полупроводниковых элемента расположены попарно один над другим и составляют один элемент многоключевого модуля, при этом по меньшей мере в одной паре полупроводниковые элементы разделены теплопроводящей изолирующейпрокладкой .Каждый полупр...

1775754