Веренчикова Р.Г.

 Изобретение относится к полупроводниковой технологии, в частности к изготовлению источников света с излучением в зеленой, голубой и других областях спектра в зависимости от выбранного политока подложки. Целью изобретения является обеспечение воспроизводимости параметров. На подложке из SIC формируют p-n-переход, методом эпитаксии, сначала наносят слой SIC p-типа проводимости, а затем слой...

 Использование: в полупроводниковых приборах, в частности в фотоприемнике на карбиде кремния, работающих в УФ спектральном диапазоне. Сущность: в фотоприемнике потенциальный барьер выполнен в виде барьера Шоттки, между эпитаксиальным слоем карбида кремния и слоем металла в барьере Шоттки расположен слой собственного окисла толщиной в его рабочей области. 1 ил. Изобретение относится к полу...