Мелебаев Д.

 Изобретение относится к микрофотоэлектрике, конкретно - к полупроводниковым фотоприемникам (ФП). Целью изобретения является повышение фоточувствительности в ультразвуковой области спектра. ФП состоит из полупроводниковой пластины, с одной стороны которой выполнен омический контакт, а с другой стороны расположены тонкий слой диэлектрика и барьерный контакт. Толщина слоя диэлектрика 3 - 5 н...