БАРИСС ВАЛДИС ОСВАЛЬДОВИЧ

  Изобретение относится к получению полупроводниковых приборов на основе многослойных гетероструктур методом жидкофазной эпитаксии. Исключает неконтролируемый сдвиг пластины и повышает за счет этого надежность устройства. Устройство содержит корпус с размещенной в нем подложкой. В корпусе выполнено углубление для фиксатора. Над подложкой размещены контейнер с емкостями для расплава...