Садыгов З.Я.

 Лавинный фотоприемник, содержащий последовательно расположенные полупроводниковую подложку, буферный слой, полевой электрод, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности устройства, на поверхности полупроводниковой подложки под буферным слоем сформированы области обратного по отношению к подложке типа проводимости, напряжение пробоя поверхности подложки внутри областей меньше, чем...

 Изобретение относится к области микрофотоэлектроники, конкретно к полупроводниковым фотоприемникам. Целью изобретения является улучшение стабильности, увеличение отношения сигнал/шум и уменьшение темнового тока. Лавинный фотоприемник содержит полупроводниковую подложку, не менее двух полупроводниковых областей с противоположным подложке типом проводимости, буферный слой и полевой электрод...