ТЯГУШЕВА ЕЛЕНА ГЕОРГИЕВНА

  Изобретение относится к полупроводниковой микроэлектронике, и частности к способу контроля пористости диэлектрических пленок, может быть использовано для контроля дефектности пленок SiOЈ в процессе изготовления полупроводниковых приборов и ИС по планарной технологии. Цель изобретения - повышение точности и экспрессности контроля пористости диэлектрической пленки с возможностью ко...